7月27日，国产DRAM龙头企业长鑫科技集团股份有限公司（股票简称：长鑫科技，股票代码：688825）正式在上海证券交易所科创板挂牌上市。这家中国最大、全球第四的DRAM厂商，以8.66元/股的发行价格、约5800亿元的发行市值登陆资本市场。上市首日，长鑫科技开盘报49.5元，涨幅471.59%，总市值突破3.3万亿元，超越工商银行成为A股总市值“一哥”。

科创板史上最大IPO

根据上市公告书，长鑫科技本次发行后总股本为668.81亿股（超额配售选择权行使前），发行总市值5791.88亿元。若超额配售选择权全额行使，预计募集资金总额为666.07亿元。这一规模将超过2020年中芯国际创下的532.30亿元纪录，成为科创板史上最大IPO。

从审核速度来看，长鑫科技2025年12月30日IPO申请获受理，2026年5月27日过会，全程仅148天，刷新了科创板大型半导体企业的审核速度纪录。

打破海外垄断的中国DRAM龙头

长鑫科技成立于2016年，是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM（动态随机存取存储器）研发设计制造一体化（IDM）企业。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居中国第一。

全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三大巨头垄断90%以上份额。而长鑫科技凭借技术突破和产能爬坡，按2026年一季度收入计算，全球市场份额已增长至8%，成为全球第四大DRAM厂商。从产能数据来看，公司三座12英寸晶圆厂现有月产能超28万片，17nm工艺DDR5良率突破90%。

业绩爆发式增长

伴随存储行业进入高景气周期，长鑫科技业绩实现跨越式增长。2026年第一季度，公司实现营业收入约508亿元，同比增长719.13%；实现归属于母公司股东的净利润约247.62亿元。公司预计2026年上半年实现营业收入1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；预计实现归母净利润500亿至570亿元。2025年，公司已实现归母净利润187.49亿元，顺利完成年度扭亏。

募资投向三大存储国产替代项目

此次募集资金将全额投向三大存储国产替代项目，分别为12英寸DRAM晶圆产线升级改造、HBM与车规存储技术升级、下一代存储前瞻技术研发，全面覆盖消费电子、AI算力服务器、车载高附加值存储赛道。其中，DRAM存储器技术升级项目投入130亿元，动态随机存取存储器前瞻技术研发项目投入90亿元，存储器晶圆制造量产线改造项目投入75亿元。

在产能拓展方面，公司2026年二季度已启动设备招投标，全年计划扩产5万至6万片，预计年底月产能提升至40万片，全球市占率有望冲击15%至20%。此外，公司还在持续建设合肥肥西测试基地新产线，并新建上海DRAM及HBM产线。在HBM领域，长鑫HBM3样品已交付头部客户验证，有望打破海外垄断，填补国内空白。

标志性意义

业内人士普遍认为，长鑫科技的上市具有标志性意义。一方面，它体现了资本市场服务国家科技战略的能力持续提升，正将更多资源配置到关键核心技术和硬科技领域。另一方面，也深刻折射出中国经济新旧动能转换的大趋势——以核心技术突破重构全球产业链，将自主创新转化为可持续的增长动能。

作为A股半导体板块最关键的一块拼图，长鑫科技的上市结束了存储板块“只有设计、无制造龙头”的估值失衡。有券商预计，在保守、中性、乐观、超乐观四种估值情景下，对应长鑫科技估值分别为1万亿元、1.5万亿元、2.3万亿元和4.25万亿元。

从2016年成立到2026年登陆科创板，长鑫科技用十年时间打破了DRAM海外三巨头的长期垄断格局。随着此次上市融资落地，这家国产存储龙头有望在AI算力驱动的新一轮存储大周期中，进一步加速国产替代进程。